近年来我国芯片制造方面不断研究, 取得了不少进展。在芯片制造过程中, 粒子注入是其中一道重要的工序,其工作原理的示意图如图所示。静止于 A 的离子,经电压为U的加速电场加速后，沿图中半径为R的虚线通过圆弧形静点分析器(静点分析器通道内有均匀辐向分布的电场)后，从P点沿直径$PQ$方向进入半径也为R的圆柱形、方向垂直于纸面向外的匀强磁场区域，
粒子经磁场偏转，最后垂直打在竖直放置的硅片上的M点（图中未画出），已知粒子的质量为m，电荷量为q，不计重力，求
(1) 粒子进入圆形匀强磁场区域是的速度v和静电分析器通道内虚线处电场强度$E$的大小
(2) 匀强磁场的磁感应强度 $B$ 的大小
粒子经磁场偏转，最后垂直打在竖直放置的硅片上的M点（图中未画出），已知粒子的质量为m，电荷量为q，不计重力，求
(1) 粒子进入圆形匀强磁场区域是的速度v和静电分析器通道内虚线处电场强度$E$的大小
(2) 匀强磁场的磁感应强度 $B$ 的大小