题号:5893    题型:单选题    来源:《大学物理(下)》期末考试(A卷)
下述说法中, 正确的是
$\text{A.}$ 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电, 而杂质半导体( $\mathrm{n}$ 型 或 $\mathrm{p}$ 型) 只有一种载流子 (电子或空穴)参予导电, 所以本征半导体导电性能比杂质 半导体好. $\text{B.}$ $\mathrm{n}$ 型半导体的导电性能优于 $\mathrm{p}$ 型半导体, 因为 $\mathrm{n}$ 型半导体是负电子导电, $\mathrm{p}$ 型半导体是正离子导电. $\text{C.}$ $\mathrm{n}$ 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部, 使局部 能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去, 大大提高了半导体导电性能. $\text{D.}$ $\mathrm{p}$ 型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
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