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试题 ID 13638
【所属试卷】
高中物理光学专项训练
制造半导体元件,需要精确测定硅片上涂有的二氧化硅 (SiO2) 薄膜的厚度,把左侧二氧化硅薄膜腐蚀成如图甲所示的劈尖,用波长 λ = 630nm 的激光从上方照射劈尖,观察到在腐蚀区域内有 8 条暗纹,且二氧化硅斜面转为平面的棱 MN 处是亮纹,二氧化硅的折射率为 1.5,则二氧化硅薄膜的厚度为
A
$1680 \mathrm{~nm}$
B
$1890 \mathrm{~nm}$
C
$2520 \mathrm{~nm}$
D
$3780 \mathrm{~nm}$
E
F
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解析:
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制造半导体元件,需要精确测定硅片上涂有的二氧化硅 (SiO2) 薄膜的厚度,把左侧二氧化硅薄膜腐蚀成如图甲所示的劈尖,用波长 λ = 630nm 的激光从上方照射劈尖,观察到在腐蚀区域内有 8 条暗纹,且二氧化硅斜面转为平面的棱 MN 处是亮纹,二氧化硅的折射率为 1.5,则二氧化硅薄膜的厚度为
$1680 \mathrm{~nm}$ $1890 \mathrm{~nm}$ $2520 \mathrm{~nm}$ $3780 \mathrm{~nm}$
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