制造半导体元件，需要精确测定硅片上涂有的二氧化硅 (SiO2) 薄膜的厚度，把左侧二氧化硅薄膜腐蚀成如图甲所示的劈尖，用波长 λ = 630nm 的激光从上方照射劈尖，观察到在腐蚀区域内有 8 条暗纹，且二氧化硅斜面转为平面的棱 MN 处是亮纹，二氧化硅的折射率为 1.5，则二氧化硅薄膜的厚度为
$\text{A.}$ $1680 \mathrm{~nm}$
$\text{B.}$ $1890 \mathrm{~nm}$
$\text{C.}$ $2520 \mathrm{~nm}$
$\text{D.}$ $3780 \mathrm{~nm}$