光刻技术
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于如何在硅片上制作出目标电路图样，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。一般芯片在生产中需要进行 $20-30$ 次的光刻，耗时占到IC生产环节的 $50 \%$ 左右，占芯片生产成本的 $1 / 3$ 。浦济之光是一种很好的光刻材料，你认识吗？在诸如硅片的基底表面覆盖一层具有高度光敏感性的光刻胶，再用特定光（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过包含目标图案信息的掩模版昭射在基底表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应，因此，在显影后被照到的区域会产生与未被照到的区域不同的效果。
6．在杨氏双缝干涉实验中，观察到屏幕上形成了明暗相间的干涉条纹。若要使相邻的明纹（或暗纹）的间距减小，可以减小下列哪些物理量
A．入射光的波长
B．双缝间距
C．入射光的光强
D．双缝到屏幕的距离
7．（1）粒子发射器的带电粒子平行于平行板进入平行板电容器，电容器与电源 $E$ ，定值电阻 $R$ 串联组成闭合电路；已知电路稳定时，电容器的两端电压为 $U$ ，两板间距为 $d$ 。则电容器两板间的电场强度 $\_\_\_\_$
（2）实验中观测到带电粒子射到 $b$ 点右侧，若要使带电粒子通过电容后落在 $b$ 点，下列操作可行的是 $\_\_\_\_$
A．增大电阻 $R$ 的阻值
B．减小电阻 $R$ 的阻值
C将电容器向上移动
D．将电容器向下移动
E．将电容器右极板向左移动
F．将电容器右极板向右移动
（3）带电粒子刚进入电容器的时刻为 $t_1$ ，刚离开电容器的时刻为 $t_2$ ；比较 $t_1, t_2$ 时刻该粒子的电势能 $E_{\mathrm{P} 1}$ 与 $E_{\mathrm{P} 2}$ 的大小关系 $\_\_\_\_$以及 $t_1 、 t_2$ 时刻该粒子所处位置的电势 $\varphi_1$ 与 $\varphi_2$ 的高低关系 $\_\_\_\_$。
8．已知普朗克常量为 $h$ ，真空中的光速为 $c$ ，某光子的波长为 $\lambda$ 。
（1）该光子的能量为 $\_\_\_\_$。
（2）若有一质量为 $m$ 的氦原子，要使其德布罗意波长小于上述光子的波长 $\lambda$ ，则氦原子的速度至少为 $\_\_\_\_$。
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于如何在硅片上制作出目标电路图样，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。一般芯片在生产中需要进行 $20-30$ 次的光刻，耗时占到IC生产环节的 $50 \%$ 左右，占芯片生产成本的 $1 / 3$ 。浦济之光是一种很好的光刻材料，你认识吗？在诸如硅片的基底表面覆盖一层具有高度光敏感性的光刻胶，再用特定光（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过包含目标图案信息的掩模版昭射在基底表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应，因此，在显影后被照到的区域会产生与未被照到的区域不同的效果。
6．在杨氏双缝干涉实验中，观察到屏幕上形成了明暗相间的干涉条纹。若要使相邻的明纹（或暗纹）的间距减小，可以减小下列哪些物理量
A．入射光的波长
B．双缝间距
C．入射光的光强
D．双缝到屏幕的距离
7．（1）粒子发射器的带电粒子平行于平行板进入平行板电容器，电容器与电源 $E$ ，定值电阻 $R$ 串联组成闭合电路；已知电路稳定时，电容器的两端电压为 $U$ ，两板间距为 $d$ 。则电容器两板间的电场强度 $\_\_\_\_$
（2）实验中观测到带电粒子射到 $b$ 点右侧，若要使带电粒子通过电容后落在 $b$ 点，下列操作可行的是 $\_\_\_\_$
A．增大电阻 $R$ 的阻值
B．减小电阻 $R$ 的阻值
C将电容器向上移动
D．将电容器向下移动
E．将电容器右极板向左移动
F．将电容器右极板向右移动
（3）带电粒子刚进入电容器的时刻为 $t_1$ ，刚离开电容器的时刻为 $t_2$ ；比较 $t_1, t_2$ 时刻该粒子的电势能 $E_{\mathrm{P} 1}$ 与 $E_{\mathrm{P} 2}$ 的大小关系 $\_\_\_\_$以及 $t_1 、 t_2$ 时刻该粒子所处位置的电势 $\varphi_1$ 与 $\varphi_2$ 的高低关系 $\_\_\_\_$。
8．已知普朗克常量为 $h$ ，真空中的光速为 $c$ ，某光子的波长为 $\lambda$ 。
（1）该光子的能量为 $\_\_\_\_$。
（2）若有一质量为 $m$ 的氦原子，要使其德布罗意波长小于上述光子的波长 $\lambda$ ，则氦原子的速度至少为 $\_\_\_\_$。